Trifluorure de bore-11 enrichi (¹¹BF₃) avec un enrichissement en ¹¹B ≥ 99,9 % et une pureté ≥ 99,999 %. N° CAS 20654-88-0

Trifluorure de bore-11 enrichi (¹¹BF₃) avec un enrichissement en ¹¹B ≥ 99,9 % et une pureté ≥ 99,999 %. N° CAS 20654-88-0

¹¹BF₃ Le ¹¹B figure parmi les gaz dopants de type p les plus critiques pour l'implantation ionique dans les semi-conducteurs. Grâce à sa quasi-absence d'absorption neutronique, il permet un contrôle précis du dopage lors de l'implantation, améliorant ainsi la conductivité et la résistance aux radiations des composants semi-conducteurs. Spécifications clés relatives aux impuretés : enrichissement en ¹¹B ≥ 99,9 %, pureté ≥ 99,999 %, N₂ ≤ 15 ppmv, O₂/Ar ≤ 15 ppmv, CO₂ ≤ 15 ppmv, SO₂ ≤ 15 ppmv, HF ≤ 15 ppmv, SiF₄ ≤ 15 ppmv.

Le ¹¹BF₃ de BoronHub est conditionné dans des cylindres en acier de haute pureté, avec des niveaux de pureté et d'enrichissement personnalisables. L'ensemble des équipements de production est fabriqué localement, garantissant une technologie exclusive et une chaîne d'approvisionnement stable et sécurisée.

Spécifications de l'entreprise concernant le trifluorure de bore-11 enrichi (¹¹BF₃)

Abondance isotopique du ¹¹B : ≥ 99,9 % Pureté : ≥ 99,999 %

Limites d'impuretés (Unité : ppmv) : N₂ ≤ 15, O₂/Ar ≤ 15, CO₂ ≤ 15, SO₂ ≤ 15, HF ≤ 15, SiF₄ ≤ 15

Conditionnement

Fourni en cylindres d'acier (Contactez notre représentant commercial pour obtenir des informations détaillées sur les spécifications des cylindres et l'emballage).

Remarque : La personnalisation des spécifications de pureté, d'abondance isotopique et d'emballage est disponible sur demande.

Quels sont les secteurs d'application de Trifluorure de bore-11 enrichi (¹¹BF₃) ?

*Fabrication de semi-conducteurs : Gaz spécial essentiel à l’électronique pour les puces haut de gamme, les écrans et autres produits semi-conducteurs

 

Industrie photovoltaïque : Procédés de dopage pour la production de cellules solaires

 

*Matériaux chimiques et avancés : Synthèse de diborane, de trichlorure de bore et d’autres matières premières chimiques, ainsi que fabrication de préformes de fibres optiques

 

Quelles sont les fonctions détaillées deTrifluorure de bore-11 enrichi (¹¹BF₃) ?

Dopant de type P pour l'implantation ionique

Gaz de dopage de type p essentiel pour l'implantation ionique dans les semi-conducteurs, il est utilisé pour la fabrication de puces de dernière génération (inférieures à 3 nm). Il supprime efficacement les erreurs de basculement des bits de mémoire et améliore considérablement la résistance aux radiations et la fiabilité opérationnelle des puces.

Processus de diffusion et d'oxydation

Elle est appliquée à de multiples étapes de la fabrication des semi-conducteurs, notamment le dopage, la diffusion d'oxydation, la gravure plasma et la croissance épitaxiale de silicium/germanium.

 

Rendement et performances améliorés des puces

Le ¹¹BF₃ de haute pureté et à fort enrichissement est un gaz spécial irremplaçable pour la fabrication de puces haut de gamme. Son abondance isotopique et sa pureté chimique déterminent directement le rendement des plaquettes et les performances des puces finies.

Procédés de gravure

Le ¹¹BF₃ ultra-pur améliore la sélectivité de gravure et l'uniformité du processus.